電池電極應(yīng)力測試系統(tǒng)

電池電極應(yīng)力測試系統(tǒng)

電池電極應(yīng)力測試系統(tǒng)，采用多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(kSA MOS)原位實(shí)時應(yīng)力測量分析，可研究鋰離子電池反應(yīng)動力學(xué)過程中或在正常使用過程中內(nèi)部會產(chǎn)生應(yīng)力，對其電化學(xué)性能的影響；即就是在充放電過程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系；進(jìn)而分析充放電過程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。

原位薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)kSA MOS Film Stress Measurement System，又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀！

采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；客戶可自行定義選擇使用任意一個或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測量；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響；同時提高了測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

典型用戶：如Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國計(jì)量科學(xué)院等、半導(dǎo)體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；

相關(guān)產(chǎn)品：
 *實(shí)時原位薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時原位測量和二維成像分析；
 *薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）
 *薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)（kSA MOS Film Stress Measurement System）

設(shè)備名稱：

kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;

主要特點(diǎn)：

  1.MOS 多光束傳感器技術(shù)；
  2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
  3.適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等；
  4.薄膜應(yīng)力各向異性測試和分析功能；
  5.生長速率和薄膜厚度測量；（選件）
  6.光學(xué)常數(shù)n&k 測量；（選件）
  7.多基片測量功能；（選件）
  8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測量功能；（選件）
  9.實(shí)時光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時可設(shè)置多個測試點(diǎn)；
  10.優(yōu)化設(shè)計(jì)免除了測量丌受真空系統(tǒng)振動影響；

測試功能：

   1.實(shí)時原位薄膜應(yīng)力測量
  2.實(shí)時原位薄膜曲率測量
  3.實(shí)時原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測量
  4.實(shí)時原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等